Samsung Electronics dilaporkan akan menggunakan pabrik foundry keduanya di Taylor, Texas, untuk memproduksi base die bagi chip memori high-bandwidth memory (HBM) untuk AMD dan Nvidia. Laporan ini dikutip Reuters dari Maeil Business Newspaper Korea Selatan yang mengutip sumber industri.
Detail Pabrik
Pembangunan dijadwalkan dimulai secara formal pada November 2026, dengan seluruh output pabrik sudah dipesan, dan sebagian besar volume yang dipesan berasal dari AMD. Pabrik akan menggunakan teknologi 2 nanometer canggih dan mencakup sekitar 2,7 juta kaki persegi, sekitar 1,5 kali ukuran fasilitas pertama yang memiliki kontrak dengan Tesla. 🔗 Reuters
Peralatan diperkirakan mulai dipasang pada Februari 2029, dengan produksi massal pada 2030. Samsung Electronics menolak berkomentar tentang laporan tersebut, dan Reuters menyatakan belum memverifikasi laporan itu secara independen. 🔗 Reuters
- Pabrik: Samsung kedua di Taylor, Texas (Taylor Fab 2).
- Produk: base die HBM untuk AMD dan Nvidia (bukan RAM jadi secara umum).
- Teknologi: 2 nanometer; luas sekitar 2,7 juta kaki persegi.
- Mulai produksi massal: 2030; pemasangan peralatan: Februari 2029.
- AMD memesan sebagian besar volume; Samsung menolak berkomentar.
Implikasi
Produksi komponen HBM di AS dapat mengurangi ketergantungan pada rantai pasokan Asia dan mempercepat ketersediaan komponen kritis untuk AI. Namun jadwal 2030 berarti dampak jangka pendek terbatas, dan laporan ini masih berstatus laporan media yang belum dikonfirmasi Samsung. 🔗 CryptoBriefing
Tidak ada komentar:
Posting Komentar